特許

J-GLOBAL ID：200903008127102445

残像積分固体撮像デバイス

発明者： 黄 忠守
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-074287
公開番号（公開出願番号）：特開平5-276442
出願日： 1992年03月30日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 画素構造が簡素な残像積分固体撮像デバイスを提供する。【構成】 選択線にカソードが接続する受光用のフォトダイオードと、ゲートが該フォトダイオードのアノードに、ドレインが該選択線に、ソースが出力線に夫々接続する増幅用の電界効果トランジスタとから成る画素と、リセット期間では該電界効果トランジスタをオフに設定すると同時にフォトダイオードを順バイアスに設定する電圧、蓄積期間では該電界効果トランジスタをオフに設定すると同時にフォトダイオードを逆バイアスに設定する電圧、サンプリング期間では該電界効果トランジスタをオンに設定すると同時にフォトダイオードを逆バイアスに設定する電圧となる選択信号を上記選択線に供給する手段を具備した。

請求項（抜粋）：

選択線にカソードが接続する受光用のフォトダイオードと、ゲートが該フォトダイオードのアノードに、ドレインが該選択線に、ソースが出力線に夫々接続する増幅用の電界効果トランジスタとから成る画素と、リセット期間(τR )では該電界効果トランジスタをオフに設定すると同時にフォトダイオードを順バイアスに設定する第1の電圧(VR )、蓄積期間(τI)では該電界効果トランジスタをオフに設定すると同時にフォトダイオードを逆バイアスに設定する第2の電圧(VI )、サンプリング期間(τS )では該電界効果トランジスタをオンに設定すると同時にフォトダイオードを逆バイアスに設定する第3の電圧(VS )となる選択信号を上記選択線に供給する手段を具備することを特徴とする残像積分固体撮像デバイス。

IPC (2件)：

H04N 5/335 ,  H01L 27/148