特許
J-GLOBAL ID：200903008127895135

半導体装置およびその製造方法

発明者：
西村 芳孝

西村 芳孝 について

, 
両角 朗

両角 朗 について

, 
大西 一永

大西 一永 について

, 
望月 英司

望月 英司 について

, 
高橋 良和

高橋 良和 について


出願人/特許権者：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

富士電機デバイステクノロジー株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-011369
公開番号（公開出願番号）：特開2006-202884
出願日： 2005年01月19日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：
【課題】 環境に及ぼす影響を考慮した高信頼性の半導体装置を提供する。【解決手段】 セラミック基板2aの両面に導体層2b,2cを形成した絶縁基板2が放熱ベース6上に半田層5を介して半田接合されると共に、その絶縁基板2上にIGBT等の半導体チップ4が半田層3を介して半田接合されたパワー半導体モジュール1を形成する際、絶縁基板2と半導体チップ4の接合、および絶縁基板2と放熱ベース6の接合に鉛フリー半田を用いる。また、絶縁基板2と放熱ベース6の接合時には、接合前にあらかじめ放熱ベース6に絶縁基板2が半田接合される面と反対の面側に接合後に平坦か平坦に近い状態が得られるような凸状の反りを与えておく。これにより、放熱ベース6を冷却フィン等に取り付けた際、それらの熱抵抗が低く抑えられ、半導体チップ4の熱が効率的に放散されて異常な温度上昇が防止される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
セラミック基板の両面に導体層を有する絶縁基板が放熱ベース上に半田接合され、前記絶縁基板上に半導体チップが半田接合された構造を有する半導体装置において、 前記半導体チップと前記絶縁基板との間および前記絶縁基板と前記放熱ベースとの間が鉛を含まない半田を用いて接合され、かつ、前記放熱ベースが前記鉛を含まない半田を用いて略平坦な状態で接合されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 23/36
FI (1件)：
H01L23/36 Z
Fターム (5件)：
5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BC06 ,  5F036BD01
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM