半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-057853
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255770
出願日： 1995年03月17日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】高アスペクト比を有する微細コンタクトホールにおいて安定したコンタクト抵抗が得られる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】半導体基板上にフィールド酸化膜を形成し、拡散層を形成し、層間絶縁膜を堆積し、層間絶縁膜にコンタクトホールを開口し、チタン膜とタングステン膜の堆積を行った後に熱処理を行ってコンタクトホールの底部に露出したシリコンとチタン膜とを反応させることにより堆積したチタン膜全てをチタンシリサイドに置換させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された導電領域上に層間絶縁膜を堆積する工程と、前記層間絶縁膜に前記導電領域に達するコンタクトホールを開口する工程と、前記コンタクトホール底部に露出した前記導電領域に形成された自然酸化膜を除去する工程と、チタン膜を堆積する工程と、タングステン膜を堆積する工程と、これらを熱処理することによりコンタクトホール底部のチタン膜をチタンシリサイドに置換する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 301 , H01L 21/285 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/285 301 T , H01L 21/285 301 R , H01L 21/88 R , H01L 21/90 D

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