特許
J-GLOBAL ID:200903008130056551

半導体チップ及び半導体集積回路装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 秋田 収喜
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-093234
公開番号(公開出願番号):特開平6-310626
出願日: 1993年04月20日
公開日(公表日): 1994年11月04日
要約:
【要約】【目的】 半導体チップの放熱効率を向上させた冷却技術を提供することにより、半導体チップの安定した動作を保証し、高密度の実装が可能な技術を提供する。【構成】 フェイスダウン方式で半導体パッケージに取り付けられ、パッケージ内に導入した冷却媒体によって直接冷却される半導体チップの基板裏面に凹凸を形成する。フェイスダウン方式で半導体チップを取り付け、パッケージ内に導入した冷却媒体によって半導体チップを直接冷却する半導体集積回路装置の半導体チップの基板裏面に、部分的にエッチング加工等の方法で凹凸を形成する。【効果】 上述した手段によれば、放熱の行われる半導体チップ裏面の表面積が増加し、それによって冷却媒体と半導体チップとの接触面積が増加するので、放熱効率が向上し、高密度実装を行った半導体チップでも安定した作動が可能となる。
請求項(抜粋):
フェイスダウン方式で半導体パッケージに実装され、半導体パッケージ内に導入された冷却媒体によって直接冷却される半導体チップであって、半導体基板の裏面に凹凸を形成したことを特徴とする半導体チップ。
IPC (2件):
H01L 23/34 ,  H01L 23/473

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