特許

J-GLOBAL ID：200903008131874444

半導体装置の製造方法

発明者： 嶋本 泰洋 ,  平谷 正彦 ,  生田目 俊秀 ,  松井 裕一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-221053
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033462
出願日： 2000年07月17日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】被覆性に優れたルテニウム膜を量産性よく形成する半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置の高誘電体キャパシタの下部電極及び上部電極を有機ルテニウム化合物を原料とする化学的気相成長法によって形成するものであって、この化学的気相成長法を、酸素及び基板表面の酸素吸着を阻害するテトラヒドロフラン等の酸素吸着阻害気体を存在させ、上記有機ルテニウム化合物の表面分解反応を制御して行うようにした半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

基板上の凹部を有する表面にルテニウム膜を形成する半導体装置の製造方法において、上記ルテニウム膜は、化学的気相成長法により、有機ルテニウム化合物を原料とし、酸素及び基板表面の酸素吸着を阻害する酸素吸着阻害気体を存在させ、上記有機ルテニウム化合物の表面分解反応を制御して行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C23C 16/18 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4件)：

C23C 16/18 ,  H01L 27/10 621 B ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 C

Fターム (37件)：

4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030CA04 ,  4K030CA11 ,  4K030DA02 ,  4K030HA04 ,  4K030LA15 ,  5F038AC05 ,  5F038AC10 ,  5F038AC15 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA18 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA08 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40