特許
J-GLOBAL ID：200903008140495600
金薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-047007
公開番号（公開出願番号）：特開平7-257996
出願日： 1994年03月17日
公開日（公表日）： 1995年10月09日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、大粒径の単結晶群または前記単結晶群よりなる金結晶薄膜を、基板上に形成することができる金薄膜の形成方法を提供する。【構成】 金錯体溶液中の金錯体を分解処理することで該溶液中の金を過飽和状態に移行させ、前記溶液中に置いた基板上に金を析出、成長せしめる金薄膜の形成方法において、基板をあらかじめ前記溶液の温度又は該温度付近まで加熱して基板と溶液の温度を同等又は温度差を小とし、かかる状態で金を基板上に析出、成長せしめることを特徴とする。前記温度差は50°C以内が好ましい。
請求項（抜粋）：
金錯体溶液中の金錯体を分解処理することで該溶液中の金を過飽和状態に移行させ、前記溶液中に置いた基板上に金を析出、成長せしめて、金薄膜を形成する金薄膜の形成方法に於て、前記基板をあらかじめ前記溶液の温度又は該温度付近まで加熱して、該基板温度と前記溶液温度とを同等又は温度差を小とし、かかる状態で金を前記基板上に析出、成長せしめることを特徴とする金薄膜の形成方法。
IPC (4件)：
C30B 29/02
, C23C 18/00
, C30B 7/14
, H01L 21/208
