特許

J-GLOBAL ID：200903008140882611

スイッチング装置及びその使用

発明者： フリーセン ロナルド ピエール ,  ホイベルツ ヨハネス ニコラース ,  レクトル イアン ヘンドリク
出願人/特許権者： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外6名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-536323
公開番号（公開出願番号）：特表平10-503858
出願日： 1996年04月23日
公開日（公表日）： 1998年04月07日
要約：

【要約】透明な基板(3)、500nmの厚みを有するイットリウムの反射性スイッチング膜(5)及び5nmの厚みを有するパラジウム層(7)を備えるスイッチング装置(1)を開示する。大気圧及び室温で水素ガスを用いることにより、透明なYH3の半導体膜(5)が形成され、該膜は熱に曝すことによりミラー様のYH2金属膜に転換する。YH3へのYH2の転換は可逆的であり、例えば、光スイッチング素子、薄いディスプレイに用いることができる。

請求項（抜粋）：

基板及び、水素を用いて水素化物を形成することができる3価の金属を含有するスイッチング薄膜を備え、該スイッチング膜は水素の交換により、金属状態から半導体状態に可逆的に変換することができることを特徴とするスイッチング装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭62-112742