特許
J-GLOBAL ID：200903008141051799
半導体力学量センサ装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-320622
公開番号（公開出願番号）：特開平7-231103
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 高温で長時間の熱処理をすることなく梁状部の残留応力を低減できる構造の半導体力学量センサ装置及びそれをICプロセスと整合性のとれる低い熱処理温度で形成する製造方法を提供する。【構成】 P型シリコン基板17の主表面上にポリシリコンを形成する際に、575°C以下(ポリシリコンに引っ張り応力を生じさせる所定の温度)でP型シリコン基板17を保持する。しかる後、形成したポリシリコンを部分的にエッチング除去することにより梁形状の可動電極24を形成する。さらにしかる後、950°C(成膜時にポリシリコンに生じた引っ張り応力を実質的に零となるまで緩和する温度であり、且つ、P型シリコン基板17に導入した不純物の拡散を実質的に抑止する温度)でもってP型シリコン基板17に対して熱処理を行う。これにより、結晶粒径が100nm以下で残留応力の少ないポリシリコンから成る梁状部及び可動部を有する半導体加速度センサを得る。
請求項（抜粋）：
基板主表面上に多結晶シリコンを形成する第1の工程と、この多結晶シリコンを部分的にエッチング除去し梁形状の可動部を形成する第2の工程とを備え、外力の作用に伴う前記可動部の変位に基づいてこの外力を検出するようにした半導体力学量センサ装置であって、この半導体力学量センサ装置は、外力を検出し信号を出力する外力検出部とこの外力検出信号を処理するMOSFETからなる制御回路とを少なくとも同ーの基板表面上に形成して製造されるものであって、前記第1の工程の際に、多結晶シリコンに引っ張り応力を生じさせる所定の温度で前記基板を保ちつつ前記多結晶シリコンを形成し、前記第2の工程の後に、さらに前記多結晶シリコンに生じた引っ張り応力を実質的に零となるまで緩和すると共に前記MOSFETとして前記基板に導入した不純物の拡散を実質的に抑止する温度でもって前記基板に対して熱処理を行う第3の工程を行うことを特徴とする半導体力学量センサ装置の製造方法。
IPC (2件)：
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