特許
J-GLOBAL ID：200903008148794800
不揮発性記憶装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-227575
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067789
出願日： 1991年09月09日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【目的】 ソース近傍のシリコン窒化膜にキャリアを捕獲することなく、選択トランジスタとして確実に動作させることが可能な不揮発性記憶装置及びその製造方法を提供する。【構成】 ソース領域及びドレイン領域が形成されたシリコン基板10上に順次シリコン酸化膜12、シリコン窒化膜14、シリコン酸化膜16、ポリシリコン電極18が積層される。シリコン窒化膜14のソース領域側に水素イオンや酸素イオンの不純物が混入され、注入されたキャリアが捕獲されるのを抑制する。
請求項（抜粋）：
ソース領域及びドレイン領域が形成された半導体基板と、この半導体基板のゲート領域上に形成されたシリコン酸化膜と、このシリコン酸化膜上に形成されたシリコン窒化膜と、このシリコン窒化膜上に形成された電極と、を有する不揮発性記憶装置において、前記シリコン窒化膜のソース領域側に所定濃度の不純物を混入してなることを特徴とする不揮発性記憶装置。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
