特許

J-GLOBAL ID：200903008149276536

半導体積層体の製造方法、半導体レーザ装置、およびその製造方法

発明者： 大林 健 ,  八木 久晴 ,  蛭川 秀一
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-224785
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102355
出願日： 2000年07月26日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 BH構造等の半導体レーザ装置において、メサストライプ部側面でのAlの酸化を抑えて良好な特性を得る。【解決手段】 少なくとも第1導電型の第1クラッド層103、活性領域および第2導電型の第2クラッド層107からなるメサストライプ部131aに電流ブロック層111、112を再成長する前に、メサストライプ部131aの両側面をバッファードフッ酸で表面処理して酸化膜や不純物を除去する。気相成長法により、良好な結晶性を有する電流ブロック層が得られる。Al混晶比が0.4以下の半導体層についても適用可能である。

請求項（抜粋）：

Alを含む材料が一部または全部に現れている半導体の表面を、少なくともフッ化水素とフッ化アンモニウム溶液を混合した溶液により表面処理する工程を含む半導体積層体の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 647 ,  H01S 5/223 ,  H01S 5/227

FI (6件)：

H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 647 Z ,  H01S 5/223 ,  H01S 5/227 ,  H01L 21/306 B