特許
J-GLOBAL ID:200903008150800591

コンデンサの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宮井 暎夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-180429
公開番号(公開出願番号):特開平10-027729
出願日: 1996年07月10日
公開日(公表日): 1998年01月27日
要約:
【要約】【課題】 漏れ電流が小さく、耐圧が高く、なおかつ信頼性の高い小型・大容量のコンデンサの製造方法を提供する。【解決手段】 粗面化した電極1表面上に気相中で高分子誘電体薄膜2を形成した後、高分子誘電体薄膜2表面上に対極3,5,6を形成する。このように、粗面化した電極1表面上に気相中で高分子誘電体薄膜2を形成するので、純度の高い目的組成物を電極1表面上に形成するのに好都合であり、かつ電極1の酸化防止にも有効である。その結果、漏れ電流が小さく、耐圧が高く、無極性で、高周波特性の優れた信頼性の高い小型・大容量コンデンサを製造できる。また、高分子誘電体薄膜2はスパッタリング法により形成するか、あるいはスパッタリング法により高分子誘電体薄膜2を形成した後、電着法で高分子誘電体薄膜7を形成することにより、さらに特性が向上する。
請求項(抜粋):
粗面化した電極表面上に気相中で高分子誘電体薄膜を形成した後、前記高分子誘電体薄膜表面上に対極を形成することを特徴とするコンデンサの製造方法。
IPC (4件):
H01G 4/33 ,  H01G 4/14 ,  H01G 4/18 324 ,  H01G 4/18
FI (4件):
H01G 4/06 102 ,  H01G 4/18 324 Z ,  H01G 4/14 ,  H01G 4/24 311

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