特許

J-GLOBAL ID：200903008157012750

半導体装置の製造方法

発明者： 手塚 敦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立北海セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-074612
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283179
出願日： 1994年04月13日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】半導体ウエハが大口径化しても、機械的、物理的強度を保持しながら、薄く裏面研削することが可能な技術を提供すること。【構成】素子回路形成工程を終了した半導体ウエハ1の裏面を研削する前に、半導体ウエハ1を複数に分割する。【効果】分割された個々のウエハの面積に対する厚さが大きくなるため、機械的、物理的強度が増加する。従って、半導体ウエハが大口径化しても、機械的、物理的強度を保持しながら、薄く裏面研削することができる。

請求項（抜粋）：

素子回路形成工程を終了した半導体ウエハの裏面を研削した後、個々のチップを半導体パッケージに搭載する半導体装置の製造方法であって、前記半導体ウエハの裏面を研削する前に、前記半導体ウエハを複数に分割する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 331 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/301

FI (2件)：

H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 P