特許
J-GLOBAL ID：200903008160476520
過圧保護ポリシリコン容量性差圧センサー及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 喜樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-110720
公開番号（公開出願番号）：特開平6-129933
出願日： 1993年05月12日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】 過圧保護機能を有する容量性差圧センサー並びにその製造方法を提供する。【構成】 n+にドーピングされた単結晶シリコンウェーハ10の一つの表面12には、空洞16が形成されている。この空洞16を覆うように、p+にドーピングされたポリシリコン製の薄いダイアフラム18が形成される。空洞16は、更に、ウェーハ10の反対側の表面14から伸張するテーパ形状の開口部20と連通する。このようにして形成されたダイアフラム18と、空洞16の床面22と、がコンデンサーの2つの電極として作用する。また、空洞16の床面22は、過圧保護機能を有するストッパーとしても作用する。
請求項（抜粋）：
容量性圧力検出装置で、導電状態にドーピングされ、両側に位置する平行な第一面と第二面とを有する、シリコンウェーハと、前記ウェーハの前記第一面に、所定の深さを有する開口部として形成された空洞で、前記第一面に平行な前記所定の深さに所定の面積の床面を有する空洞と、前記ウェーハの第一面に析出し、前記空洞の開口部を横切って伸張する、電気的に絶縁された絶縁層で、前記空洞の少なくとも一部を覆うような第一領域内を導電状態にして、可撓性の導電ダイアフラムを形成するように処理された絶縁層と、前記シリコンウェーハと前記ダイアフラムに対して独立に電気的に接続する第一及び第二電気接点手段と、を備え、前記ウェーハの前記第二面が、開口部を有し、前記開口部が前記ウェーハを貫通して前記空洞に連通する通路を形成し、前記空洞に連通する前記通路の開口部の面積が、前記空洞の床面の面積と比較して小さく、前記ダイアフラムと前記空洞の床面とがコンデンサーを形成し、前記コンデンサーのキャパシタンスが、前記ダイアフラム両側の差圧の変化に応じて変化する、ことを特徴とする容量性圧力検出装置。
IPC (3件)：
G01L 13/06
, G01L 19/06 102
, H01L 29/84
