特許
J-GLOBAL ID：200903008161145919
被膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-291027
公開番号（公開出願番号）：特開2000-104171
出願日： 1994年07月19日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：
【要約】【課題】光ディスクや磁気テープ等の記録媒体を保護するために、その表面にDLC(ダイヤモンドライクカーボン)膜をCVD法で成膜する。【解決手段】15〜100Torrの圧力で、かつ電極間隔を6mm以下とすることにより、高密度のプラズマを形成し、アノード側にイオンシースを形成する。そして、イオンのボンバードメントを利用してDLC膜を形成する。また成膜中に、基体に対して超音波振動を与えつつ成膜を行う。この結果、DLC膜のピンホール数を30個/mm2にできる。
請求項（抜粋）：
超音波振動している基体の表面に炭素被膜を形成することを特徴とする被膜形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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