特許
J-GLOBAL ID：200903008164330946
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-255093
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125013
出願日： 1994年10月20日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】下層配線に依存して層間絶縁膜表面に段差がある場合でも、タングステン(W)残渣を生じず、Wプラグを過剰エッチする必要もなく、段差被覆率やエレクトロマイグレーション耐性に優れた上層配線を形成できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】層間絶縁膜14に開口された接続孔12の内面及び層間絶縁膜の表面にWの密着層16を被覆し、接続孔12の内部に埋込まれたWプラグ18の上面と層間絶縁膜表面の密着層16上に上層配線20を形成する。この際Wプラグ18の上面は層間絶縁膜表面の密着層16と上層配線20との界面より上部に突出しているため、接続孔内部に埋込まれるWプラグとしての効果が充分発揮され、このWプラグ上の上層配線の段差被覆率を向上させる。また層間絶縁膜上の密着層は上層配線と同一形状にパターニングされているため、上層配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。
請求項（抜粋）：
少なくとも1つの接続孔が開口された層間絶縁膜と、前記接続孔の内面および前記層間絶縁膜の表面に被覆されたタングステンの密着層と、内面に密着層が被覆された前記接続孔の内部に埋め込まれたタングステンプラグと、前記層間絶縁膜の表面に被覆された密着層および前記タングステンプラグの上に形成された上層配線とを有し、前記層間絶縁膜の表面に形成された密着層は、前記上層配線と同一形状にパターニングされ、前記タングステンプラグの上面は、前記上層配線と前記層間絶縁膜の表面に被覆された密着層との界面よりも上部に突出していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28 301
