特許

J-GLOBAL ID：200903008165341240

半導体装置及びその製造方法

発明者： 大芦 敏行 ,  新川田 裕樹
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-233491
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074476
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置のコンタクトホール形成時に半導体基板までオーバーエッチングされ、コンタクトが半導体基板に入り込むのを防止する。【解決手段】 半導体メモリ装置などの下部配線をシリコン窒化膜で覆い、その上にシリコン酸化膜の層間絶縁膜を形成する。コンタクトホールの形成は、先ず層間絶縁膜を異方性エッチングで開口し、次にこの開口からシリコン窒化膜を等方性エッチングで除去する。残留酸化膜があれば、異方性の酸化膜エッチングをして半導体基板まで開口する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板の上に形成された複数の第1の導電部と、少なくともこの第1の導電部の表面に沿って形成された第1の絶縁膜と、この第1の絶縁膜の表面を含み上記半導体基板の全面に形成された第2の絶縁膜と、この第2の絶縁膜の上に形成された第3の絶縁膜と、この第3の絶縁膜の上に形成された第2の導電部と、上記第2の導電部から少なくとも上記第3の絶縁膜と上記第2の絶縁膜とを貫いて上記複数の第1の導電部のうち相隣る導電部の間を通り上記半導体基板に到るコンタクト部とを備え、上記コンタクト部は上記第2の絶縁膜の部分において径方向に鍔状に拡大した形状を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 27/10 681 B ,  H01L 27/08 102 D ,  H01L 27/10 681 A ,  H01L 29/78 301 X