特許

J-GLOBAL ID：200903008166232615

窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 斎 藤 真 司 ,  小野村 正 明 ,  ジョン レニー ,  波多腰 玄 一 ,  藤 本 英 俊
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-206279
公開番号（公開出願番号）：特開平10-154851
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：

【要約】【課題】 簡単な工程で良好なへき開面を形成することができる窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 窒化物系化合物半導体のへき開面に沿って応力集中を生ずるように、楔形のエッチング溝を形成し、さらに、端部を基板から分離することにより、へき開が基板に誘導されることなく、発光層が自然へき開により、良好なミラーを形成することができる。また、端面の一部を基板から分離することにより基板からの歪みを受けづらくして、歪みによる劣化を防止することができる。

請求項（抜粋）：

基板と、基板上に形成された第1のコンタクト層と、この第1のコンタクト層上に積層形成された電流狭窄層と、この電流狭窄層上に積層形成された窒素を含む化合物からなる発光層と、この発光層上に積層形成された第2のコンタクト層と、前記第1のコンタクト層および第2のコンタクト層に接触するように形成された第1および第2の電極とを備え、前記基板と前記発光層の側面との間に凹部が形成されていることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭61-077385
  
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-016313   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 特開昭61-154193
  

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-077385
  
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-016313   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー