特許
J-GLOBAL ID:200903008168062334
酸化物超電導膜の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
深見 久郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-203860
公開番号(公開出願番号):特開平6-052742
出願日: 1992年07月30日
公開日(公表日): 1994年02月25日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 優れた特性の酸化物超電導膜を得ることができる、レーザアブレーション法を用いる酸化物超電導膜の製造方法を提供する。【構成】 YSZ(イットリア安定化ジルコニア)またはMgO(酸化マグネシウム)をターゲット4として用い、レーザ発振装置1から発振されるレーザ光によってアブレーションが生じ、粒子5が、10mTorr以下の酸素雰囲気下で基板6上に中間層を形成するステップと、中間層上に酸化物超電導膜を形成するステップとを備える。
請求項(抜粋):
レーザアブレーション法を用いる酸化物超電導膜製造方法であって、YSZ(イットリア安定化ジルコニア)またはMgO(酸化マグネシウム)をターゲットとして用い、10mTorr以下の酸素雰囲気下で基板上に中間層を形成するステップと、前記中間層上に酸化物超電導膜を形成するステップとを備える、酸化物超電導膜製造方法。
IPC (6件):
H01B 13/00 565
, C01G 1/00
, C23C 14/08
, C30B 23/08
, C30B 29/22 501
, H01B 12/06 ZAA
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