特許

J-GLOBAL ID：200903008168162070

プラズマCVD装置

発明者： 石井 芳朗 ,  舟木 義行
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社 ,  株式会社ライムズ ,  日本電子工業株式会社 ,  日本コーティングセンター株式会社
代理人 (1件)： 押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-145469
公開番号（公開出願番号）：特開平7-331446
出願日： 1994年06月03日
公開日（公表日）： 1995年12月19日
要約：

【要約】【目的】 プラズマCVD法により被膜等を形成する際に、余剰の原料ガスや反応副生成物により被膜等製造の不安定、不純物の混入、装置の損傷、製造コストの増加等の問題が発生することなく、高品位の被膜等を容易にかつ安定して形成可能なプラズマCVD装置の提供。【構成】 真空チャンバー1に加熱ヒータ2を有するプラズマCVD装置において、排気管6、原料ガス供給用接続管12およびプラズマ発光観測用窓13に、余剰の原料ガスや反応副生成物を付着させるトラップ用管体9a、9b、9cを着脱可能に内嵌する。また、必要に応じて排気管6に内嵌したトラップ用管体9aの冷却ジャケット10を装着する。

請求項（抜粋）：

真空チャンバーに加熱装置を有するプラズマCVD装置において、少なくとも排気管系に付着堆積する反応副生成物をトラップする手段を設けたことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (2件)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/50

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-028377
  
• 特開平4-150903
  
• 特開平3-042010