特許

J-GLOBAL ID：200903008170241904

熱電変換モジュールおよびその製造方法

発明者： 三 好 実 人 ,  今 西 雄一郎 ,  櫛 引 圭 子 ,  馬久地 裕
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社 ,  日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 小塩 豊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-362891
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188426
出願日： 1998年12月21日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：

【要約】【課題】 300〜500°Cの中温域で使用することができ、高い熱電変換効率を得ることができるCoSb3を主成分とする熱電半導体からなる熱電変換モジュールを提供する。【解決手段】 少なくとも1対のp型およびn型の熱電素子2p,2nの相対する両端面に電極層5を形成するに際し、CoSb3を主成分とする熱電半導体からなるp型およびn型熱電素子2p,2nの端面部分にAlを主成分とする金属あるいは合金を溶射法によって厚膜形成することにより、熱電素子2p,2nがCoSb3を主成分とする熱電半導体であり、電極層5がAlを主成分としかつ厚さ0.05mm以上1.0mm以下の厚膜層である熱電変換モジュール6とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも1対のp型およびn型の熱電素子と、前記熱電素子の相対する両端面において電極層により電気的に接合された熱電変換モジュールにおいて、前記熱電素子がCoSb3を主成分とする熱電半導体であり、前記電極層がAlを主成分としかつ厚さ0.05mm以上1.0mm以下の厚膜層であることを特徴とする熱電変換モジュール。

IPC (3件)：

H01L 35/32 ,  H01L 35/08 ,  H01L 35/18

FI (3件)：

H01L 35/32 A ,  H01L 35/08 ,  H01L 35/18