研磨用組成物

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-323049
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133266
出願日： 2001年10月22日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのCMP加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたCMP加工用の研磨用組成物を提供する。【解決手段】 (A)研磨材、(B)キノリンカルボン酸、(C)有機酸、(D)過酸化水素、および(D)水からなり、研磨材がフュームドシリカ、コロイダルシリカ、フュームドアルミナ、およびコロイダルアルミナのうち少なくとも1種類からなる組成物であって研磨材の一次粒子が0.01〜0.2μmである研磨用組成物である。

請求項（抜粋）：

(A)研磨材、(B)式(1)であらわされるキノリンカルボン酸、(C)有機酸、(D)過酸化水素、及び(E)水よりなる研磨用組成物であり、(A)研磨材が、フュームドシリカ、コロイダルシリカ、フュームドアルミナ、及びおよびコロイダルアルミナのうち少なくとも1種類からなり、研磨材の一次粒子が0.01〜0.2μmであり、研磨用組成物中の濃度が5〜30重量%であり、(B)キノリンカルボン酸の研磨用組成物中の濃度が0.01〜5重量%であり、(C)有機酸がクエン酸、酒石酸、リンゴ酸の中から選択された少なくとも一つ以上の酸であり、研磨組成物中の濃度が0.01〜5重量%であり、(D)過酸化水素の研磨用組成物中の濃度が0.03〜5重量%であることを特徴とする研磨用組成物。【化1】

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 , B24B 37/00 , C09K 3/14 550 , C09K 3/14

FI (4件)：

H01L 21/304 622 D , B24B 37/00 H , C09K 3/14 550 D , C09K 3/14 550 Z

Fターム (6件)：

3C058AA07 , 3C058CA01 , 3C058CB01 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 3C058DA17

前のページに戻る