特許

J-GLOBAL ID：200903008178797502

半導体成長基板及びその製造方法

発明者： 西野 弘師
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-022319
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219409
出願日： 1996年02月08日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【課題】 半導体成長基板及びその製造方法に関し、バッファ層による横方向及び縦方向の格子不整合をさらに緩和して、結晶性の良好なエピタキシャル層を再現性良く得る。【解決手段】 格子定数の差が15%以上ある半導体基板1と半導体成長層5から半導体成長基板1を構成すると際に、半導体基板1の{100}面4にオフ角を設け、且つ、半導体成長層8の成長面である{111}面9を、半導体基板1のオフ方向に沿った横方向の格子不整合の緩和による傾き角と、その後の縦方向の格子不整合の緩和による傾き角により決定される傾き角だけ傾ける。

請求項（抜粋）：

半導体基板とその上に設けた半導体成長層からなり、且つ、前記半導体基板と前記半導体成長層との間の格子定数の差が15%以上ある半導体成長基板において、前記半導体基板として{100}面にオフ角を設けた半導体基板を用いると共に、前記半導体成長層の成長面である{111}面の傾き角が、前記半導体基板のオフ方向に沿った横方向の格子不整合の緩和による傾き角と、その後の縦方向の格子不整合の緩和による傾き角により決定されることを特徴とする半導体成長基板。

IPC (2件)：

H01L 21/36 ,  H01L 31/0264

FI (2件)：

H01L 21/36 ,  H01L 31/08 N