特許
J-GLOBAL ID：200903008181286977
パワー半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-247514
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093016
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】大容量,高信頼のパワーモジュール半導体装置を提供する。【解決手段】底面が金属基板,側面及び上面が有機樹脂で構成され、前記底面の金属板上とモジュール内に塔載する半導体素子との間に絶縁板を配置し、前期半導体素子が2個以上である内部絶縁型のパワー半導体装置において、側面あるいは上面が一体で形成されたモジュールの底面金属板が2枚以上で構成する。【効果】本発明によれば、底面金属ベースを複数枚に分割したことでモジュール完成時の反り量を低減することが出来る。これにより接触熱抵抗を小さくすることができる。
請求項（抜粋）：
底面が金属基板,側面及び上面が有機樹脂で構成され、前記底面の金属板上とモジュール内に搭載する半導体素子との間に絶縁板を配置し、前期半導体素子が2個以上である内部絶縁型のパワー半導体装置において、側面あるいは上面が一体で形成されたモジュールの底面金属板が二枚以上で構成されたことを特徴とするパワー半導体装置。
IPC (2件)：
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