特許

J-GLOBAL ID：200903008189226965

対数変換型画素構造およびそれを用いた固体撮像装置

発明者： 渡辺 恭志
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-169649
公開番号（公開出願番号）：特開2001-352489
出願日： 2000年06月06日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：

【要約】【課題】 対数変換型画素構造において、フォトダイオードの暗電流を大幅に低下させて対数変換可能な光電流の下限を拡大し、感度の向上とダイナミックレンジの拡大を図る。【解決手段】 光電変換するフォトダイオード1と、フォトダイオード1の光電流を対数変換する第一MOSトランジスタ2と、フォトダイオード1の光電流を第一MOSトランジスタ2で変換した信号を読み出す第二MOSトランジスタ3とを備えた対数変換型画素構造において、第一MOSトランジスタ2のゲートを、電源電位と接地電位GNDとの間の電位に固定する。

請求項（抜粋）：

フォトダイオードからなる光電変換部と、該フォトダイオードにソースが接続され、電源にドレインが接続された第一MOSトランジスタからなり、該フォトダイオードの光電流を対数変換するための対数変換部と、該フォトダイオードおよび該第一MOSトランジスタのソースにゲートが接続されていると共に、該第一MOSトランジスタのドレインにドレインが接続された第二MOSトランジスタを含み、該フォトダイオードの光電流を該第一MOSトランジスタで変換した信号を読み出す読み出し手段とを備えた対数変換型画素構造において、該第一MOSトランジスタのゲートが、電源電位と接地電位との間の電位に固定されている対数変換型画素構造。

IPC (3件)：

H04N 5/335 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/10

FI (5件)：

H04N 5/335 E ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 G

Fターム (18件)：

4M118AA02 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118DD09 ,  4M118FA06 ,  5C024CX43 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GY31 ,  5C024GY41 ,  5F049MA01 ,  5F049NA20 ,  5F049NB05 ,  5F049UA05 ,  5F049UA20