特許
J-GLOBAL ID：200903008190468328
半導体圧力センサのダイアフラム形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安藤 淳二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-119130
公開番号（公開出願番号）：特開平11-311579
出願日： 1998年04月28日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：
【要約】【課題】 所定の感度を有する半導体圧力センサを低コストで得ることのできる半導体圧力センサのダイアフラムの形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1をエッチングすることにより凹部を形成し、ダイアフラム11とする半導体圧力センサのダイアフラム形成方法において、半導体基板1に対して、前記凹部を形成したい部分のみ開口したマスク9を介して、微粒子10を高速でマスク9面の方から吹き付けることにより、前記凹部を形成するようにした。
請求項（抜粋）：
半導体基板をエッチングすることにより凹部を形成し、ダイアフラムとする半導体圧力センサのダイアフラム形成方法において、半導体基板に対して、前記凹部を形成したい部分のみ開口したマスクを介して、微粒子を高速でマスク面の方から吹き付けることにより、前記凹部を形成するようにしたことを特徴とする半導体圧力センサのダイアフラム形成方法。
IPC (2件)：
G01L 9/04 101
, H01L 29/84
G01L 9/04 101
, H01L 29/84 B
