特許

J-GLOBAL ID：200903008193028710

半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

発明者： 富吉 和俊 ,  浅野 英一 ,  塩原 利夫 ,  山本 昭 ,  山本 謙児
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-146556
公開番号（公開出願番号）：特開平11-323086
出願日： 1998年05月12日
公開日（公表日）： 1999年11月26日
要約：

【要約】 (修正有)【解決手段】 (a)エポキシ樹脂(b)硬化剤(c)下記平均組成式(1)R1mR2nSi(OR3)p(OH)qO(4-m-n-p-q)/2 (1)(但し、式中のR1はフェニル基、R2は炭素数1〜6の芳香環を含まない一価炭化水素基又は水素原子、R3は炭素数1〜4の一価炭化水素基を表わし、m、n、p、qは0.5≦m≦2.0、0≦n≦1.0、0.42≦p≦2.5、0≦q≦0.35、0.92≦m+n+p+q≦2.8を満足する数である。)で表わされるオルガノポリシロキサン:上記(a)、(b)成分の合計量100重量部に対して0.1〜50重量部(d)無機充填剤:上記(a)、(b)成分の合計量100重量部に対して400〜1,200重量部を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【効果】 このエポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置は、高い難燃性が付与され、信頼性の高いものである。

請求項（抜粋）：

(a)エポキシ樹脂(b)硬化剤(c)下記平均組成式(1) R1mR2nSi(OR3)p(OH)qO(4-m-n-p-q)/2 (1)(但し、平均組成式中のR1はフェニル基、R2は炭素数1〜6の非置換又は置換の芳香環を含まない一価炭化水素基又は水素原子、R3は炭素数1〜4の非置換又は置換一価炭化水素基を表わし、m、n、p、qは0.5≦m≦2.0、0≦n≦1.0、0.42≦p≦2.5、0≦q≦0.35、0.92≦m+n+p+q≦2.8を満足する数である。)で表わされるフェニル基及びオルガノオキシ基含有オルガノポリシロキサン:上記(a)、(b)成分の合計量100重量部に対して0.1〜50重量部(d)無機充填剤:上記(a)、(b)成分の合計量100重量部に対して400〜1,200重量部を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物。

IPC (5件)：

C08L 63/00 ,  C08K 3/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08L 83:04

FI (3件)：

C08L 63/00 A ,  C08K 3/00 ,  H01L 23/30 R