特許

J-GLOBAL ID：200903008194708684

磁気的に安定な磁気抵抗メモリ素子

発明者： トーマス・シー・アンソニー
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 古谷 馨 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-157177
公開番号（公開出願番号）：特開2002-056665
出願日： 2001年05月25日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】磁気メモリセルのセルの状態を磁気的に安定にする手段を提供する。【解決手段】磁気抵抗メモリセル(100)は、第1(110)及び第2(130)の導電性磁気層を備える。第1及び第2の層の一方は実質的に「H」または「I」の形状をなしている。第1の層と第2の層の間に分離層(120)が配置される。種々の実施態様において、分離層は、導電性かまたは非導電性である。種々の実施態様において、第1の層及び第2の層の少なくとも一方が、ニッケル-鉄(NiFe)、コハ ゙ルト-鉄(CoFe)、またはニッケル-鉄-コハ ゙ルト(NiFeCo)合金のうちの1つからなる。1実施態様では、メモリセル装置は、導電性の磁気基準層及びデータ層を有する。データ層(400)の形状は実質的に「H」または「I」形状である。基準層とデータ層の間に分離層が配置される。セルは、トンネル磁気抵抗セルまたは巨大磁気抵抗セルとすることができる。

請求項（抜粋）：

第1および第2の磁性体層であって、それらの少なくとも一方が実質的に「H」形状である、第1および第2の磁性体層と、前記第1の磁性体層と前記第2の磁性体層との間に配置された分離層の対からなる、メモリセル装置。

IPC (6件)：

G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (6件)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (10件)：

5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11