特許

J-GLOBAL ID：200903008195299796

ダイナミック型半導体記憶装置

発明者： 長谷川 武裕 ,  白武 慎一郎 ,  高島 大三郎 ,  田中 智晴
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-049584
公開番号（公開出願番号）：特開平5-250869
出願日： 1992年03月06日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】消費電力の削減とサイクル時間の短縮を可能としたNAND型メモリセルユニットを持つDRAMを提供することを目的とする。【構成】各ビット線に所定のデータ記憶容量のNAND型メモリセルユニットの他に、空のメモリセルユニットが接続されたメモリセルアレイ11を有し、読出し書き込み時にあるメモリセルユニットから読出されたデータが同時にそのビット線に繋がるその時点で空のメモリセルユニットに書き込まれ、所定のデータが読み出し書き込み前に蓄えられていたメモリセルユニットとこれから読み出されたデータが書き込まれたメモリセルユニットとの間で内部アドレスを変換し、かつこれをアドレスレジスタに記憶しておき、外部アドレスが入力された時に変換された内部アドレスを出力するアドレス変換手段14を有する。

請求項（抜粋）：

1トランジスタ/1キャパシタのメモリセルが複数個直列接続されたメモリセルユニットがマトリクス配列され、各ビット線に所定のデータ記憶容量のメモリセルユニットの他に、ダミーセル,スペアセルとは異なる空のメモリセルユニットが接続されたメモリセルアレイと、読出し書き込み時にあるメモリセルユニットからビット線に読み出されたデータをビット線センスアンプで増幅してそのビット線に繋がるその時点で空のメモリセルユニットに書き込む手段と、読出し書き込み時に、所定のデータが読み出し書き込み前に蓄えられていたメモリセルユニットとこれから読み出されたデータが書き込まれたメモリセルユニットとの間でアドレスを変換し、かつこれをアドレスレジスタに記憶しておき、外部からアドレスが入力された時に変換された内部アドレスを出力するアドレス変換手段と、を備えたことを特徴とするダイナミック型半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 11/404 ,  G11C 11/401 ,  H01L 27/10 481

FI (2件)：

G11C 11/34 352 C ,  G11C 11/34 362 A