不揮発性記憶素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲岡耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-341965
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188430
出願日： 1992年12月22日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【目的】高速動作を確保しつつ、チャネル長を短くできる不揮発性記憶素子を提供する。【構成】 N型シリコン基板20の上部にPウェル21を形成する。Pウェル21の所定領域上にゲート酸化膜25およびアドレスゲート26を順次形成する。ゲート酸化膜25およびアドレスゲート26を覆うよう、全面にONO膜27を形成する。アドレスゲート26の一側方においてサイドウォールゲート28をONO膜27に被着形成する。アドレスゲート26およびサイドウォールゲート28をマスクとするイオン注入によって、ソース領域22およびドレイン領域23を自己整合的に形成する。サイドウォールゲート28上に、アドレスゲート26の一部領域を覆う状態でメモリゲート29を形成する。

請求項（抜粋）：

電荷を注入したり、取り出すことで情報の記憶を行う不揮発性記憶素子であって、予め定める第1の導電型式をした半導体基板、上記半導体基板の表面層に所定の間隔をあけて形成され、上記第1の導電型式とは反対の第2の導電型式をしたソース領域およびドレイン領域、上記ソース領域およびドレイン領域で挟まれるように生じるチャネル領域の、ドレイン領域側の予め定める領域を除く領域上に形成されたゲート絶縁膜、上記ゲート絶縁膜上に形成されたアドレスゲート、上記チャネル領域の予め定める領域上に、アドレスゲートの一部領域を覆う状態で形成された、窒化膜を含む電荷を蓄積する電荷蓄積膜、上記アドレスゲートのドレイン領域側側方に対応する電荷蓄積膜に被着形成されたサイドウォールゲート、ならびに上記サイドウォールゲート上に、アドレスゲートの一部領域を覆う状態で形成されたメモリゲートを含むことを特徴とする不揮発性記憶素子。

IPC (3件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 16/06

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , G11C 17/00 309 A

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