特許

J-GLOBAL ID：200903008200994694

Siの拡散浸透処理法による磁気特性の優れた高珪素鋼板の製造方法

発明者： 二宮 弘憲 ,  田中 靖 ,  日裏 昭 ,  高田 芳一
出願人/特許権者： 日本鋼管株式会社
代理人 (1件)： 苫米地 正敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-353950
公開番号（公開出願番号）：特開平5-171406
出願日： 1991年12月19日
公開日（公表日）： 1993年07月09日
要約：

【要約】【目的】 浸珪処理による高珪素鋼板製造工程において、SiやAlの窒化を防止し、磁気特性に優れた高珪素鋼板を製造することができる方法を提供することにある。【構成】 Si:4wt%以下、Al:0.01wt%以下、C:0.01wt%以下、N:0.003wt%以下で、且つSe,Te,As,Sb,Sn,Pb,Biの1種または2種以上が合計で0.2wt%以下含まれる低炭素鋼スラブを熱間圧延、冷間圧延し、次いで、Se,Te,As,Sb,Sn,PbまたはBiの化合物の1種以上を塗布して熱処理し、或いはこれら元素を拡散浸透処理した後、露点が-30°C以下のSi化合物と窒素の混合ガス雰囲気中で浸珪処理を施す。

請求項（抜粋）：

Si:4wt%以下、Al:0.01wt%以下、C:0.01wt%以下、N:0.003wt%以下で、且つSe,Te,As,Sb,Sn,Pb,Biの1種または2種以上が合計で0.2wt%以下含まれる低炭素鋼スラブを熱間圧延、冷間圧延して薄板とし、該薄板にSe,Te,As,Sb,Sn,Pb,Biの元素の化合物のうち1種または2種以上を塗布して乾燥させた後、非酸化性雰囲気中において600°C以上の温度で焼鈍し、次いで露点を-30°C以下に保ったSi化合物と窒素との混合ガス雰囲気中にて浸珪処理することを特徴とするSiの拡散浸透処理法による磁気特性の優れた高珪素鋼板の製造方法。

IPC (7件)：

C23C 10/08 ,  C21D 8/12 ,  C21D 9/46 ,  C22C 38/00 303 ,  C22C 38/60 ,  C23C 10/02 ,  C23C 28/02