特許

J-GLOBAL ID：200903008206853316

超伝導ヒューズ

発明者： 吉田 晃
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-038873
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236822
出願日： 1995年02月27日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 臨界値以上の超伝導電流を流すと超伝導状態から高抵抗状態或いは絶縁状態に変化する超伝導ヒューズに関し、超伝導配線を形成した後で所望の配線接続にする。【構成】 半導体層又は常伝導体層5上に間隙4を挟んで形成された超伝導体層2,3からなり、間隙4を挟む両側の超伝導体層2,3はそれぞれ半導体層又は常伝導体層5と接触し、超伝導電流が半導体層又は常伝導体層5を介して流れる間隔を有している。

請求項（抜粋）：

半導体層又は常伝導体層上に少なくとも2つ以上の超伝導体層が、前記半導体層又は常伝導体層を介して該超伝導体層間に超伝導電流が流れる間隔をおいて形成されていることを特徴とする超伝導ヒューズ。

IPC (4件)：

H01L 39/16 ZAA ,  H01H 85/06 ZAA ,  H01L 39/22 ZAA ,  H02H 9/02 ZAA

FI (4件)：

H01L 39/16 ZAA ,  H01H 85/06 ZAA ,  H01L 39/22 ZAA ,  H02H 9/02 ZAA B