特許
J-GLOBAL ID：200903008207490012

超伝導スイッチ装置

発明者：
マルチノ レグヒッサ

マルチノ レグヒッサ について

, 
マリーン オーメン

マリーン オーメン について


出願人/特許権者：
シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト

シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト について


代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-004043
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273415
出願日： 2003年01月10日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：
【要約】【課題】 従来の問題点が少なくとも部分的に回避されるようにする。【解決手段】 超伝導技術のスイッチ装置(2)は、超伝導物質を有するスイッチ区間(4)と、このスイッチ区間(4)を事前設定された動作温度(Ta)へ冷却する冷却手段と、スイッチ区間(4)を超伝導状態から常伝導状態に転移させるために超伝導物質の臨界値の少なくとも1つを制御により超過させる手段とを含んでいる。スイッチ装置(2)は、40K以下の作動温度用として設計され、スイッチ区間(4)の超伝導物質として二硼化マグネシウム(MgB2)を含んでいる。
請求項（抜粋）：
超伝導物質を有するスイッチ区間と、このスイッチ区間を事前設定された作動温度へ冷却する冷却手段と、スイッチ区間を超伝導状態から常伝導状態に転移させるために超伝導物質の臨界値の少なくとも1つを制御により超過させる手段とを備えた超伝導スイッチ装置において、40K以下の作動温度(Ta)に対して、スイッチ区間(4)の超伝導物質として二硼化マグネシウム(MgB2)が用いられていることを特徴とする超伝導スイッチ装置。
IPC (2件)：
H01L 39/20 ZAA ,  H01L 39/12
FI (2件)：
H01L 39/20 ZAA ,  H01L 39/12 A
Fターム (10件)：
4M114AA11 ,  4M114AA24 ,  4M114AA29 ,  4M114BB04 ,  4M114BB09 ,  4M114CC15 ,  4M114DB13 ,  4M114DB16 ,  4M114DB22 ,  4M114DB70
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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