特許
J-GLOBAL ID：200903008210399603
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-280999
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135211
出願日： 1993年11月10日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：
【要約】【目的】多層配線半導体装置のビアホール形成時の工程の短縮、プロセスの簡素化および配線レイアウト自由度の向上を図る。【構成】半導体基板上に形成される第1の絶縁膜1と、第1の絶縁膜1上に形成される第1の配線2と、第1の配線上に形成される第2の絶縁膜3と、第2の絶縁膜3上に形成される第2の配線4と、第2の配線4上に形成される第3の絶縁膜5と、第3の絶縁膜5上に形成される第3の配線6と、第1の配線2、第2の配線4、第3の配線を垂直に接続する開孔部とを備え、少なくとも一部の開孔部が、第2の配線4に設定されている切断部の側面に接して設けられ、第1の配線2と第2の配線4との間の開孔寸法が、第2の配線4と第3の配線6との間の開孔寸法よりも小さく設定され、当該開孔部内に第1の配線2から第2の配線4を経由して第3の配線6に至る金属体が設けられている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成される第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成される所定形状の第1の配線と、前記第1の配線上を含む全面に形成される第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成される所定形状の第2の配線と、前記第2の配線上を含む全面に形成される第3の絶縁膜と、前記第3の絶縁膜上に形成される所定形状の第3の配線と、前記第1の配線と前記第3の配線とを垂直に接続する開孔部とを備えて構成され、前記開孔部の内の少なくとも一部の開孔部が、前記第2の配線に予め設定されている切断部の側面に接して設けられており、且つ前記開孔部の前記第1の配線と前記第2の配線との間における開孔寸法が、前記第2の配線と前記第3の配線との間における前記開孔部の開孔寸法よりも小さく設定され、前記開孔部内に前記第1の配線から前記第2の配線を経由して前記第3の配線に至る金属体が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/768
H01L 21/88 Z
, H01L 21/88 A
, H01L 21/90 B
