特許
J-GLOBAL ID:200903008221127745

磁気センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井桁 貞一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-218102
公開番号(公開出願番号):特開平6-066906
出願日: 1992年08月18日
公開日(公表日): 1994年03月11日
要約:
【要約】【目的】 磁気抵抗素子とバイアス磁界発生用の永久磁石がパッケージに組み込まれてなる磁気センサに関し、磁気抵抗素子と永久磁石との位置ずれを高精度に補正する手段を具えた磁気センサの提供を目的とする。【構成】 少なくとも基板上に強磁性体薄膜からなる磁気検出パターンが形成された磁気抵抗素子、磁化方向が磁気抵抗素子と平行になるよう配置されたバイアス磁界発生用の永久磁石、および磁気抵抗素子と永久磁石を収納するパッケージを具えてなる磁気センサにおいて、パッケージ6に磁気抵抗素子1と磁化方向が磁気抵抗素子1に対して平行な永久磁石5を組み込み、かつ、永久磁石5をパッケージ6が回動自在に支持してなるように構成する。
請求項(抜粋):
少なくとも基板上に強磁性体薄膜からなる磁気検出パターンが形成された磁気抵抗素子、磁化方向が該磁気抵抗素子と平行になるよう配置されたバイアス磁界発生用の永久磁石、および該磁気抵抗素子と該永久磁石を収納するパッケージを具えてなる磁気センサにおいて、パッケージ(6) に磁気抵抗素子(1) と磁化方向が該磁気抵抗素子(1) に対して平行な永久磁石(5) を組み込み、かつ、該永久磁石(5) を該パッケージ(6) によって回動自在に支持してなることを特徴とする磁気センサ。
IPC (3件):
G01R 33/06 ,  G01B 7/00 ,  G01D 5/245

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