特許
J-GLOBAL ID：200903008221912191
振動ジャイロセンサー
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-292586
公開番号（公開出願番号）：特開平7-120266
出願日： 1993年10月27日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：
【要約】【目的】 半導体シリコンウエハーの加工プロセスを用いて容易に製造でき、1個の製品内に多軸の角速度が検出できるコリオリ力を検出する角速度センサー素子を組み込んだ振動ジャイロセンサーの提供。【構成】 基板表面の所要軸方向に磁場中の交流電流にて発振する振動子とその中に基板厚み方向に振動可能な測定子を形成し、所要軸を回転軸とする回転力を測定子の厚み方向の振動として静電容量変化で検出し回転角速度を測定する構成で、これを相互に90度位相をずらした構成で2つのセンサーを形成することにより、X軸並びにY軸回りの回転角速度を同時に測定することができ、製造に際し1枚の半導体基板に同時に上記の2種のセンサー構造を形成加工でき、電極を設けたガラス層、磁石層も容易に積層でき、製造性にすぐれる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の直交2軸をX,Y、基板厚み方向をZとした場合、表面に導体を設けた矩形枠からなる振動子を半導体基板の矩形開口部内にX,Yいずれかの軸方向の複数のビームにてX,Y方向のいずれかの軸方向に振動可能に接続配置し、振動子の矩形枠内に両面に電極を設けた測定子を振動子のビームとは直交する軸方向の複数のビームにてZ軸方向に振動可能に接続配置し、半導体基板の両面に測定子の電極に所要間隔で対向配置する電極を設けたガラス層を積層し、さらにガラス層の上に磁石層を積層した構成からなり、磁石層による磁場中で振動子の導体に交流電流を流して振動させ、振動子のビーム軸を回転軸とする回転力を測定子のZ軸方向の振動として静電容量変化を検出し、回転角速度を測定することを特徴とする振動ジャイロセンサー。
IPC (2件)：
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