特許
J-GLOBAL ID：200903008224566510
薄膜構造体の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 史旺 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-161746
公開番号（公開出願番号）：特開平9-190996
出願日： 1996年06月21日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、基板に薄膜を形成してなる薄膜構造体の製造方法に関し、薄膜と基板あるいは薄膜と薄膜とが密着することを容易,確実に防止することを目的とする。【解決手段】 基板上に薄膜あるいは犠牲材となる薄膜層を形成する工程と、前記基板または犠牲材をエッチング溶液によりエッチングし、薄膜と薄膜との間または薄膜と基板との間に微小間隙を形成する工程と、前記エッチング溶液を洗浄溶液により洗浄除去する工程と、前記微小間隙に存在する前記洗浄溶液が乾燥する前に前記薄膜と薄膜との間または薄膜と基板との間に溶融状態の昇華性物質を付着させる工程と、前記昇華性物質を凝固させる工程と、前記昇華性物質を昇華させる工程とを有して構成する。
請求項（抜粋）：
基板上に薄膜あるいは犠牲材となる薄膜層を形成する工程と、前記基板または犠牲材をエッチング溶液によりエッチングし、薄膜と薄膜との間または薄膜と基板との間に微小間隙を形成する工程と、前記エッチング溶液を洗浄溶液により洗浄除去する工程と、前記微小間隙に存在する前記洗浄溶液が乾燥する前に前記薄膜と薄膜との間または薄膜と基板との間に溶融状態の昇華性物質を付着させる工程と、前記昇華性物質を凝固させる工程と、前記昇華性物質を昇華させる工程と、を有することを特徴とする薄膜構造体の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 351
, C23F 1/00
H01L 21/304 351 Z
, C23F 1/00 A
