特許
J-GLOBAL ID：200903008225971508
積層セラミック電子部品
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小柴 雅昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-291356
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135063
出願日： 1996年11月01日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 積層セラミックコンデンサに代表される積層セラミック電子部品において、焼付けにより形成される外部電極が、通常、ポーラスな状態であるため、その上にめっき膜を電気めっきにより形成しようとするとき、めっき液が外部電極を通してセラミック積層体内に浸入し、得られた積層セラミック電子部品のIR特性劣化等をもたらすことがある。【解決手段】 セラミック積層体5のめっき液に対するシール性を向上させるため、積層体5の端面6,7にSi系ガラスペーストを塗布し、これを積層体5中に熱拡散させることにより、端面6,7から内部に向かって10μmないし50μmまでの領域を、Siの存在比が60%以上であるガラスリッチな領域14,15とする。また、端面6,7と外部電極8,9との間に、厚さ3μm以上のガラス層16,17を形成する。
請求項（抜粋）：
積層された複数のセラミック層および前記複数のセラミック層間の複数の特定の界面に沿って延びる複数の内部電極を含むセラミック積層体と、前記セラミック積層体の相対向する第1および第2の端面上にそれぞれ焼付けにより形成される第1および第2の外部電極とを備え、前記複数の内部電極は、前記第1の外部電極に電気的に接続されるように前記第1の端面上にまで引き出されるものと前記第2の外部電極に電気的に接続されるように前記第2の端面上にまで引き出されるものとが積層方向に関して交互に配置されている、積層セラミック電子部品において、前記セラミック積層体の、前記第1および第2の端面の各々から内部に向かって10μmないし50μmまでの領域は、Siの存在比が60%以上であるガラスリッチな領域とされていることを特徴とする、積層セラミック電子部品。
IPC (5件)：
H01G 4/12 349
, H01G 4/12 361
, C03C 17/25
, H01G 4/30 301
, H01C 7/04
H01G 4/12 349
, H01G 4/12 361
, C03C 17/25 A
, H01G 4/30 301 E
, H01C 7/04
