特許

J-GLOBAL ID：200903008236538806

超音波トランスデューサ及び電子機器

発明者： 若林 勝裕 ,  安達 日出夫 ,  長谷川 守 ,  松本 一哉 ,  神谷 宜孝 ,  唐木 和久
出願人/特許権者： オリンパスメディカルシステムズ株式会社
代理人 (1件)： 伊藤 進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-107038
公開番号（公開出願番号）：特開2009-254572
出願日： 2008年04月16日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：

【課題】エレクトレット膜を具備することによりDCバイアス電圧の低減を可能としながら、十分な出力及び感度を有する超音波トランスデューサ及び電子機器を提供する。【解決手段】本発明の超音波トランスデューサは、基板の一方の面上に配置され、下部電極、前記下部電極上に配置された第1空隙部、及び前記第1空隙部上に配置された上部電極を有してなる超音波振動子セルと、前記基板の他方の面上に配置され、前記下部電極及び前記上部電極のいずれか一方と電気的に接続された第1導電層と、前記第1導電層上に配置されたエレクトレット膜と、前記エレクトレット膜上に配置された絶縁層と、前記絶縁層上に配置され、前記下部電極及び前記上部電極のうち、前記第1導電層と電気的に連結していない方の電極と電気的に接続された第2導電層と、を具備する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板の一方の面上に配置され、 下部電極、 前記下部電極上に配置された第1空隙部、及び 前記第1空隙部上に配置された上部電極を有してなる超音波振動子セルと、 前記基板の他方の面上に配置され、 前記下部電極及び前記上部電極のいずれか一方と電気的に接続された第1導電層と、 前記第1導電層上に配置されたエレクトレット膜と、 前記エレクトレット膜上に配置された絶縁層と、 前記絶縁層上に配置され、前記下部電極及び前記上部電極のうち、前記第1導電層と電気的に連結していない方の電極と電気的に接続された第2導電層と、 を具備することを特徴とする超音波トランスデューサ。

IPC (4件)：

A61B 8/12 ,  G01N 29/24 ,  H04R 19/00 ,  H04R 19/01

FI (5件)：

A61B8/12 ,  G01N29/24 501 ,  G01N29/24 ,  H04R19/00 330 ,  H04R19/01

Fターム (24件)：

2G047BA03 ,  2G047BC07 ,  2G047CA01 ,  2G047EA15 ,  2G047EA17 ,  2G047FA01 ,  2G047GB02 ,  2G047GB16 ,  2G047GB21 ,  2G047GB33 ,  2G047GB36 ,  4C601BB02 ,  4C601EE13 ,  4C601EE15 ,  4C601FE01 ,  4C601GB04 ,  4C601GB45 ,  4C601GB47 ,  4C601GB48 ,  5D019DD01 ,  5D021CC08 ,  5D021CC10 ,  5D021CC12 ,  5D021CC19

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 微細機械加工された超音波トランスデューサ(MUT)アレイ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-516948   出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ