特許

J-GLOBAL ID：200903008237299368

半導体装置の製造方法

発明者： 白石 忠義 ,  手塚 好弘 ,  村上 武宏
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-272967
公開番号（公開出願番号）：特開平6-124959
出願日： 1992年10月12日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】【目的】半導体基板内部に結晶欠陥を発生することなく、デバイスの設計寸法精度を向上し、且つ金属シリサイド層と半導体基板との良好なオーミックコンタクトを取ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】ゲート電極3、ソース20及びドレイン21が形成された半導体基板1を、フッ化塩素ガスと、水素ガスと、を含む混合ガス雰囲気中に装入し、当該混合ガスに紫外線を照射し、前記半導体基板1上に形成されている自然酸化膜8を除去した後、前記ゲート電極3表面、ソース20及びドレイン21上に、金属シリサイド層10を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート酸化膜を介して形成したゲート電極表面と、ソース及びドレイン上に、金属シリサイド層が形成されてなる半導体装置の製造方法において、前記ゲート電極、ソース及びドレインが形成された半導体基板を、フッ化塩素ガスと、水素ガスと、を含む混合ガス雰囲気中に装入し、当該混合ガスに紫外線を照射し、前記半導体基板上の自然酸化膜を除去する工程と、前記自然酸化膜を除去した後、前記ゲート電極表面、ソース及びドレイン上に、金属シリサイド層を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/28 301