特許

J-GLOBAL ID：200903008238088387

強誘電体FET素子およびその製造方法

発明者： 渡部 行男 ,  棚村 満
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-325870
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181232
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】 繰り返し記憶特性、記憶保持特性をはじめ高速性、集積性、低消費電力等の特性に優れたメモリ素子として有用な強誘電体FET素子およびその製造方法を提供すること。【構成】 無機基板上に少なくとも半導体層と強誘電体層の2層を有し、強誘電体層上にゲート電極を有する強誘電体FET素子において、半導体層上のソース電極およびドレイン電極が形成された部分以外を強誘電体で覆ったことを特徴とする強誘電体FET素子および、無機基板上に少なくとも半導体層と強誘電体層を設け、エッチングにより素子間分離を行い、その後ソース電極部およびドレイン電極部のみの強誘電体層をエッチング除去し、ゲート電極部、ゲート電極部とソース電極部の間およびゲート電極部とドレイン電極部の間の強誘電体層は残したままその後のFET素子形成を行なうことを特徴とする強誘電体FET素子の製造方法。

請求項（抜粋）：

無機基板上に少なくとも半導体層と強誘電体層の2層を有し、強誘電体層上にゲート電極を有する強誘電体FET素子において、半導体層上のソース電極およびドレイン電極が形成された部分以外を強誘電体で覆ったことを特徴とする強誘電体FET素子。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 11/22 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 613 B ,  H01L 29/78 617 T