特許

J-GLOBAL ID：200903008240744054

金属配線の構造およびその形成方法

発明者： 渡▲邊▼ 厚司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-253477
公開番号（公開出願番号）：特開平5-094992
出願日： 1991年10月01日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：

【要約】【目的】 高耐熱性、高密着性、高信頼性を有する金属配線を得る。【構成】 導電率が高く融点の低いAu層2などの配線のまわりにAu層2よりも融点が高く熱膨張率の低いタングステンシリサイド層3,4を形成する。【効果】 絶縁膜6とAu層2の高温での反応を抑えて耐熱性を高め、また、タングステンシリサイド層3,4が緩衝層となって、Au層2と絶縁膜6との密着性を高め、信頼性を高める。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成する金属配線の構造であって、導電率が高い第1の金属配線の周りを前記第1の金属配線よりも融点が高くかつ熱膨張率が低い第2の金属配線で覆ったことを特徴とする金属配線の構造。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28

FI (2件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 D