特許
J-GLOBAL ID:200903008241966417
層内のゲスト材料を含む電子デバイス、およびそれを形成するためのプロセス
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-549669
公開番号(公開出願番号):特表2008-533652
出願日: 2005年12月29日
公開日(公表日): 2008年08月21日
要約:
電子デバイスを形成するための方法が、第1の層を基板の上に形成する工程と、第1の液体組成物を第1の層の第1の部分の上に配置する工程とを含む。第1の液体組成物は、少なくとも、第1のゲスト材料と、第1の液体媒体とを含む。第1の液体組成物は第1の層と接触し、実質的な量の第1のゲスト材料が第1の層と混合する。電子デバイスが、基板と、基板の上にある連続した第1の層とを含む。連続層は、電子構成要素がある第1の部分と、電子構成要素がない第2の部分とを含む。第1の部分は、厚さが少なくとも30nmであり、第1のゲスト材料を含み、第2の部分は、厚さが40nm以下である。
請求項(抜粋):
電子デバイスを形成するための方法であって、
第1の層を基板の上に形成する工程と、
第1の液体組成物を前記第1の層の第1の部分の上に配置する工程であって、前記第1の液体組成物が、少なくとも、第1のゲスト材料と、第1の液体媒体とを含み、前記第1の液体組成物が前記第1の層と接触し、実質的な量の前記第1のゲスト材料が前記第1の層と混合する工程とを含むことを特徴とする方法。
IPC (3件):
H05B 33/10
, H01L 51/50
, H05B 33/12
FI (4件):
H05B33/10
, H05B33/14 A
, H05B33/22 D
, H05B33/12 B
Fターム (16件):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC03
, 3K107CC06
, 3K107CC21
, 3K107CC33
, 3K107DD53
, 3K107DD59
, 3K107DD60
, 3K107DD69
, 3K107DD73
, 3K107DD79
, 3K107FF13
, 3K107FF15
, 3K107GG06
, 3K107GG28
引用特許:
出願人引用 (13件)
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米国特許第4,356,429号明細書
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EP 1191612号明細書
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国際公開第02/15645号パンフレット
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国際公開第02/31896号パンフレット
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EP 1191614号明細書
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米国特許第4,539,507号明細書
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米国特許出願公開第2002/0121638号明細書
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米国特許第6,459,199号明細書
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米国特許第5,247,190号明細書
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米国特許第5,408,109号明細書
-
米国特許第5,317,169号明細書
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国際公開第02/02714号パンフレット
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米国特許出願公開第2001/0019782号明細書
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審査官引用 (3件)
引用文献:
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