特許

J-GLOBAL ID：200903008242966747

半導体評価方法

発明者： 松崎 秀昭
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-320240
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134578
出願日： 2000年10月20日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】 ウエハや素子を破壊(劈開)ぜず簡便に、且つ、ウエハ全面にわたってレジスト膜などの保護膜の状態を評価することができる半導体評価方法を提供する。【解決手段】 あらかじめ、第1の半導体素子の形成時に、微小な面積をもつ複数個の評価用の第1の半導体素子1a,1b,1cを面積を変えて形成しておき、第2の半導体素子5の形成のためのエッチング後に、これら複数個の第1の半導体素子1a,1b,1cの電気的特性の素子面積依存性を評価することによって、前記保護膜の欠陥の有無を調査する。具体的には、第1の半導体素子1a,1b,1cを流れる電流値と素子面積との関係が、正比例ならば保護膜に「欠陥なし」と判定し、正比例でないならば保護膜に「欠陥あり」と判定する。

請求項（抜粋）：

半導体製造工程において、第1の半導体素子を形成した後、第2の半導体素子を形成するために、パタンを形成して半導体層をエッチング法により加工する際、この第2の半導体素子形成のためのエッチングから第1の半導体素子を保護するために第2の半導体素子形成前に第1の半導体素子に被覆される保護膜の状態を評価するための半導体評価方法であって、あらかじめ、第1の半導体素子の形成時に、評価用の第1の半導体素子を面積を変えて複数個形成しておき、第2の半導体素子形成のためのエッチング後に、これら複数個の第1の半導体素子の電気的特性の素子面積依存性を評価することによって、前記保護膜の欠陥の有無を調査することを特徴とする半導体評価方法。

Fターム (8件)：

4M106AA01 ,  4M106AA07 ,  4M106AA12 ,  4M106AA13 ,  4M106AB11 ,  4M106CA04 ,  4M106CA27 ,  4M106DJ20