特許

J-GLOBAL ID：200903008253294503

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 中田 義弘 ,  鈴木 克己 ,  杉浦 巌 ,  矢野 映 ,  並木 崇久
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 土井 健二 ,  林 恒徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-322333
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158606
出願日： 2002年11月06日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

【課題】低誘電率で信頼性が高く、高速な半導体装置やこの半導体装置を少ない工程数で迅速に製造する方法を提供する。【解決手段】半導体装置に含まれる実質的に全ての絶縁膜層が、塗布型樹脂を用いて形成された絶縁膜層からなるようにし、塗布型樹脂を用いて形成した絶縁膜層の各層毎に第一の熱処理を実施し、塗布型樹脂を用いて形成した複数の絶縁膜層の形成の後、第二の熱処理を一括して行う。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

2以上の絶縁膜層を有する半導体装置において、 当該半導体装置に含まれる実質的に全ての絶縁膜層が、塗布型樹脂を用いて形成された絶縁膜層からなる 半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/768 ,  H01L21/312

FI (2件)：

H01L21/90 Q ,  H01L21/312 C

Fターム (49件)：

5F033HH11 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ84 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR14 ,  5F033RR21 ,  5F033RR23 ,  5F033RR24 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033TT03 ,  5F033TT04 ,  5F033WW00 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F033XX28 ,  5F033XX33 ,  5F058AC03 ,  5F058AD01 ,  5F058AD02 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 成膜方法および成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-169510   出願人：東京エレクトロン株式会社