特許

J-GLOBAL ID：200903008256468502

半導体発光素子の製造方法

発明者： 近藤 雅文 ,  細羽 弘之 ,  兼岩 進治 ,  ▲吉▼田 智彦 ,  大林 健 ,  幡 俊雄 ,  須山 尚宏
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-147704
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343737
出願日： 1992年06月08日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】InGaAlN層に格子欠陥がなく、高効率、高信頼性を有し層厚およびキャリア濃度の制御が容易にできる半導体発光素子の製造方法を提供する。【構成】基板上の成長面に、In1-x(GayAl1-y)Nxに含有される窒素原子53とIII族原子52とを交互に供給してIn1-x(GayAl1-y)Nx層4を成長させる。その際、窒素原子53またはIII族原子52のいずれかと同時にドーパント51を供給する。そのためドーパント51のマイグレーションが増大するため、このドーパントはアクセプターとなり得る格子位置に確実に入ることができる。成長と同時に上記In1-x(GayAl1-y)Nx層4はp型In1-x(GayAl1-y)Nx層となるので、層厚およびキャリア濃度の制御が容易になる。

請求項（抜粋）：

p型In1-x(GayAl1-y)Nx層(xは0より大で1以下、yは0以上1以下である)を備えた半導体発光素子の製造方法であって、In1-x(GayAl1-y)Nxのうちの窒素原子または該窒素原子を含有するガスと、III族原子または該III族原子を含有するガスとを交互に成長面に供給し、かつ、窒素原子または該窒素原子を含有するガスと、III族原子または該III族原子を含有するガスとのいずれかとともにアクセプターを該成長面に供給して該p型In1-x(GayAl1-y)Nx層を成長させる工程を含む半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18