特許

J-GLOBAL ID：200903008257032180

太陽電池素子の製造方法

発明者： 坂元 智成
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-204160
公開番号（公開出願番号）：特開2005-050925
出願日： 2003年07月30日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：

【課題】従来よりも簡素な方法で、化学薬品の使用量を減らした太陽電池素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板1の表面に、拡散層2と反射防止膜3を有する太陽電池素子の製造方法において、前記反射防止膜3上から物理的処理を施すことによって、前記半導体基板1に前記反射防止膜3を貫通したダメージ層11を形成した後に、化学的処理を施すことによって前記ダメージ層11を除去することを特徴とする。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に、拡散層と反射防止膜を有する太陽電池素子の製造方法において、前記反射防止膜上から物理的処理を施すことによって、前記半導体基板に前記反射防止膜を貫通したダメージ層を形成した後に、化学的処理を施すことによって前記ダメージ層を除去することを特徴とする太陽電池素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (1件)：

H01L31/04 F

Fターム (5件)：

5F051BA03 ,  5F051BA14 ,  5F051HA03 ,  5F051HA07 ,  5F051HA20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭53-099887
  
• 特開昭61-005584