特許

J-GLOBAL ID：200903008262665190

固体試料のアニール方法および半導体不純物ドーピング層形成方法

発明者： 節原 裕一 ,  水野 文二 ,  高瀬 道彦 ,  足立 智
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-156330
公開番号（公開出願番号）：特開2001-338894
出願日： 2000年05月26日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：

【要約】【課題】 従来のアニール技術は、不純物ドープ層の活性化には有効であるが、基板全体が1000度C程度の高温に加熱され、10秒程度の短時間の加熱であっても、注入された不純物が基板深部へも拡散してしまうという問題があった。【解決手段】 固体試料に、電磁波を照射して格子振動(フォノン)を直接励起することにより、熱的に非平衡な状態で原子、分子及び格子欠陥の振動、再配列及び拡散を行う。

請求項（抜粋）：

固体試料に、電磁波を照射して格子振動(フォノン)を直接励起することにより、熱的に非平衡な状態で原子、分子及び格子欠陥の振動、再配列及び拡散を行うことを特徴とする固体試料のアニール方法。

IPC (3件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/265 602

FI (3件)：

H01L 21/268 Z ,  H01L 21/22 E ,  H01L 21/265 602 Z