特許
J-GLOBAL ID:200903008267981600

化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いる酸発生剤

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 阿形 明 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-171108
公開番号(公開出願番号):特開平9-230588
出願日: 1996年07月01日
公開日(公表日): 1997年09月05日
要約:
【要約】【課題】 酸発生剤としてシアノ基をもつオキシムスルホネート化合物を用い、しかも高耐熱性、高解像性及び高感度を有するとともに、定在波の影響を受けにくく、優れた形状のレジストパターンを与えるポジ型及びネガ型の化学増幅型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 (A)酸解離性置換基で保護された水酸基をもつ重量平均分子量/数平均分子量(Mw/Mn)比3.5以下のアルカリ可溶性樹脂及び(B)一般式【化1】(式中のR1は芳香族性基、R2は低級アルキル基又はハロゲン化低級アルキル基である)で表わされるオキシムスルホネート化合物から成る酸発生剤を含有したポジ型の化学増幅型レジスト組成物とする。
請求項(抜粋):
(A)酸解離性置換基で保護された水酸基をもつ重量平均分子量/数平均分子量(Mw/Mn)比3.5以下のアルカリ可溶性樹脂及び(B)一般式【化1】(式中のR1は芳香族性基、R2は低級アルキル基又はハロゲン化低級アルキル基である)で表わされるオキシムスルホネート化合物から成る酸発生剤を含有することを特徴とするポジ型の化学増幅型レジスト組成物。
IPC (6件):
G03F 7/004 503 ,  C09K 3/00 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027
FI (6件):
G03F 7/004 503 ,  C09K 3/00 K ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/30 502 R
引用特許:
出願人引用 (5件)
  • 特開平2-154266
  • 特開平1-124848
  • 高感度の高解像度i-線ホトレジスト
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-144327   出願人:チバ-ガイギーアクチエンゲゼルシャフト, オーシージーミクロエレクトロニクスインコーポレーテッド
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