特許
J-GLOBAL ID：200903008269105999
強誘電体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-070762
公開番号（公開出願番号）：特開平5-271927
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月19日
要約：
【要約】【目的】 成膜工程において組成比の一部または全部を任意に変えられる強誘電体薄膜の製造方法を提供する。【構成】 支持基板4の近傍に互いに組成の異なる強誘電体ターゲット5および6を配置し、それぞれのターゲット5,6にレーザー光7および8を照射し、各レーザー光の照射量を調節することによって、支持基板4上に形成される強誘電体薄膜の組成比を任意に変える。
請求項（抜粋）：
支持基板の近傍に互いに組成の異なる強誘電体ターゲットを少なくとも2個配置し、個々のターゲットにレーザー光を同時または交互に照射することにより、前記支持基板の一表面上に強誘電体薄膜を形成することを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
C23C 14/46
, H01L 21/203
, H01L 21/268
