半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-300780
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133705
出願日： 1998年10月22日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】サリサイド処理を有する半導体装置の製造方法に関し、深さが大きく異なるコンタクトを同時に開口し、良好なコンタクトの電気特性を有した半導体装置を提供する。【解決手段】フィールド酸化膜201、ゲート電極202をパターンニングして順次形成する。ついで、酸化膜を全面に形成した後、ゲート電極の側壁にサイドウォール203、拡散層204を順次形成する。そしてゲート電極202にコバルト等をスパッタ処理し、その後第1の窒化膜を全面に形成し、第1の層間膜205を形成して、CMP法により平坦化する。更に、上層の配線206に、第2の窒化膜210を全面に形成し、そしてコンタクトを開口する場所の第2の窒化膜210を除去する。そして、ゲート電極202および配線206上の第1の窒化膜および第2の窒化膜210に達するコンタクトを開口し、次に、ゲート電極202および配線206上に達するコンタクトを上記窒化膜をエッチングすることで同時に開口する。

請求項（抜粋）：

第1の下層配線となる層を形成してパターニングを行い下層配線を形成する工程と、前記下層配線上に第1の窒化膜を全面に形成する工程と、前記第1の膜に第1の層間膜を形成する工程と、前記第1の層間膜上に第2の上層配線となる層を形成してパターニングを行い上層配線を形成する工程と、前記上層配線上に第2の窒化膜を全面に形成する工程と、前記第2の窒化膜をパターニングして前記下層配線に達するコンタクトが開口される部分の第2の窒化膜を除去する工程と、第2の層間膜を形成する工程と、前記下層配線上と前記上層配線上の前記第1の窒化膜と前記第2の窒化膜に達するコンタクトを同時に開口する工程と、前記下層配線上部と前記上層配線上部ある前記第1の窒化膜と前記第2の窒化膜を同時にエッチングして前記下層配線と前記上層配線に達するコンタクトを同時に開口することを含むことを特徴とした半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/90 A , H01L 21/28 L , H01L 29/78 301 Y

Fターム (62件)：

4M104BB01 , 4M104BB24 , 4M104BB25 , 4M104BB28 , 4M104DD11 , 4M104DD15 , 4M104DD17 , 4M104DD37 , 4M104DD66 , 4M104DD72 , 4M104DD84 , 4M104EE17 , 4M104FF07 , 4M104FF14 , 4M104GG16 , 4M104HH20 , 5F033HH04 , 5F033KK01 , 5F033KK04 , 5F033KK25 , 5F033KK27 , 5F033KK28 , 5F033LL04 , 5F033MM05 , 5F033MM07 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ16 , 5F033QQ19 , 5F033QQ21 , 5F033QQ31 , 5F033QQ35 , 5F033QQ38 , 5F033QQ39 , 5F033QQ48 , 5F033QQ58 , 5F033QQ73 , 5F033QQ79 , 5F033QQ84 , 5F033RR00 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033XX00 , 5F040DB01 , 5F040EC07 , 5F040EC13 , 5F040ED03 , 5F040EH02 , 5F040EJ04 , 5F040EK01 , 5F040FA05 , 5F040FA06 , 5F040FA08 , 5F040FA11 , 5F040FB04 , 5F040FC11 , 5F040FC19 , 5F040FC21 , 5F040FC22

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-011624 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-285988 出願人：三菱電機株式会社
特開昭55-102235

全件表示

前のページに戻る